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SK海力士将量产首款128层的1Tb TLC 4D NAND闪存

文章来源: 集微网       发布时间:2019-06-26

6月26日,SK海力士宣布,将量产首款128层的1Tb(Terabit) TLC 4D NAND闪存,并计划下半年开始销售。这是SK海力士去年10月发表96层4D NAND后,时隔8个月再次发表新产品。据韩媒《朝鲜日报》报导,SK海力士为使用TLC设计(每个Cell单元上安装3bit)开发新产品,应用垂直蚀刻、多层薄膜颗粒形成、低电力回路设计等技术,制造出堆栈3600亿以上NAND颗粒、128层的1Tb产品,不仅达到业界最高堆栈数,也超越三星电子量产的90层NAND。


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虽然先前已有96层QLC 1Tb规格的产品,但TLC的性能、处理速度皆优于QLC,在NAND市场中,TLC产品市占率更达85%。因此SK海力士首次以TLC技术开发出高容量NAND,备受外界关注。


特别的是,虽然该产品将原本96层NAND产品增加32层,制程手续却减少5%,加上128层4D NAND的每硅片位元生产率比96层4D NAND高4成,即使不使用PUC技术(外围电路),128层4D NAND的位元生产率仍然能提高15%以上。SK海力士对此说明,通过此方式能节省转换新制程的花费,和上一代转换投资费用相比,约能减少6成。《朝鲜日报》指出,这是SK海力士活用去年10月开发的4D NAND工艺平台,并优化制程的成果。


SK海力士计划下半年开始销售128层4D NAND闪存。SK海力士相关人士表示,该产品即使在低电压(1.2V)环境,也能达到1400Mbps数据传输速度,适合应用在高性能、低耗电的移动解决方案,以及企业用SSD(固态硬盘)中。


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Hynix 海力士芯片生产商,源于韩国品牌英文缩写"HY"。海力士即原现代内存,2001年更名为海力士。海力士半导体是世界第三大DRAM制造商,也在整个半导体公司中占第九位。海力士半导体在1983年以现代电子产业有限公司成立,在1996年正式在韩国上市,1999年收购LG半导体,2001年将公司名称改为(株)海力士半导体,从现代集团分离出来。2004年10月将系统IC业务出售给花旗集团,成为专业的存储器制造商。2012年2月,韩国第三大财阀SK集团宣布收购海力士21.05%的股份从而入主这家内存大厂。


文章来源:集微网

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